基于龙芯2号的国产万亿次高性能计算机系统KD-50-I通过鉴定

在这个网站已经逛好久了，一直没有发现一个适合报道高新技术成果的角落。只好在这里发了，版主如果觉得不合适，就把它转移到适合的地方吧。呵呵

基于龙芯2号的国产万亿次高性能计算机于2007年12月26日在安徽合肥通过鉴定。该高性能计算机是由中国科学技术大学研制成功，峰值性能达到每秒1万亿次双精度浮点运算，是我国首次采用国产CPU芯片研制的万亿次级的高性能计算机  

(綜合報道)(星島日報報道)位於中國西北寧夏自治區的大峰煤礦，昨天成功實施中國煤礦開採史上最大的一次硐室爆破工程，以超過五千四百噸的炸藥，炸平一座高約二百米、體積逾六百三十萬立方米的大山。爆破使該煤田可從艱揑的礦井開採改為較容易的露天開採，創造經濟效益近三十五億元（人民幣，下同）。官方為確保爆破安全，封閉現場兩公里範圍，疏散約一萬二千人。

大峰煤礦儲藏二千多萬噸世界珍稀的高熱、無煙無硫煤，這種煤被譽為「煤中之王」，全球只有中國和越南擁有。

由於煤礦地處賀蘭山脈腹地，海拔高達二千二百五十多米，煤層上的山體懸崖峭壁，地形險惡，二十多年的礦井開採，只挖出三百六十多萬噸煤，尚有一千四百萬噸無法開採，加上煤礦已自燃近百年，如不採取措施，四年後將報廢。

相關部門決定實施爆破，炸平煤層上的山體。工程由廣東一家爆破公司承擔，中科院、公安部等單位派出專家參與。

昨天上午十一時半，隨着一聲巨響，瞬間山搖地動，濃煙成蘑菇狀緩緩升起、翻騰，約半小時才慢慢散去。

其後，高二百三十米、逾六百萬立方米的山體隨之崩塌，整體下沉約四十米。

專家表示，爆破非常成功，令一千四百萬噸「煤中之王」重見天日，按目前市價測算，其價值高達三十四億六千五百多萬元。

這場耗資近五千萬元的大爆破，共使用炸藥逾五千四百噸，安裝在山體中挖成的近九公里硐室中，是中國近十五年來最大的一次硐室爆破工程，爆炸能量相當於日本廣島原子彈爆炸的一半，也是去年北韓核試驗的六倍。

據悉，爆破的炸藥全部在現場製作，且是能耐二百多度高溫的特種炸藥。為不造成山石四濺，炸藥設計為在一秒鐘內分二十五批依次爆炸，爆炸之間互相產生衝撞、擠壓，現場測到的力學、物理學、化學、材料動力學、工程地質學等多種資料，對軍事科技也有重要借鑑作用。

【日經BP社報導】 柯尼卡美能達商用科技（Konica Minolta Business Technologies）宣佈，在廣東省東莞市設立了子公司——中國柯尼卡美能達商用科技 (東莞）公司。新公司將負責影印機、印表機及相關部件的研發、設計、生產以及該公司自己的產品的銷售。註冊資本為2000萬美元，成立時間為2007年11月12日。預計將於2008年4月投入生產。

　　此次在中國建公司的目的是：通過把柯尼卡美能達商用科技此前累積的量產經驗和人才轉移至新公司，來強化中國生產基地的職能。另外，還可規避中國政府做出的環境問題相關規定帶來的風險。新公司的從業人員約為5000人。佔地面積為8萬米²。

　　新公司是作為柯尼卡美能達商用科技的生產子公司——香港柯尼卡美能達商用科技製造有限公司的全資子公司成立的。由於香港柯尼卡美能達商用科技製造有限公司此前一直委託位於廣東省東莞市石龍鎮的“東莞石龍事務機工廠”生產影印機和印表機，新公司接管了東莞石龍事務機工廠的員工和設備。（記者：迦納 徵子）

【日經BP社報導】荷蘭恩智浦半導體 (NXP Semiconductors)日前宣佈推出全球首款手機USB電池充電器檢測方案。ISP1704和ISP1601能夠在為手機充電時檢測並識別出專用USB充電器、USB主機充電器和USB主機。符合中國最近出臺的有關手機銷售的規定，以及USB設計者論壇（USB Implementers Forum，USB-IF）的電池充電規範Rev.1.0。

　　利用恩智浦的這一技術，消費者通過手機USB介面即可即時充電，非常方便。根據 USB2.0規範，當一台可攜式設備接到USB主機或 Hub上時，最大供電電流為500mA。現在，USB-IF的新規範允許設備導入超過USB 2.0 規範的電流，並提倡可攜式設備能夠識別三類充電器：強電流外置式充電器（最高 1.8A）、USB 主機或Hub充電器（最高1.5A），以及標準USB主機或Hub（最高 500mA）。

　　恩智浦的ISP1704是世界上首款兼具集成式電池充電器檢測功能的高速USB OTG ULPI收發器。恩智浦與領先手機製造廠商的以及USB-IF 電池充電工作小組（USB-IF Battery Charging Working Group）密切合作，開發出這一高速USB與USB電池充電檢測完美融合的產品。

　　ISP1704 能夠以高速（480 Mbit/s）、全速（12 Mbit/s）和低速（1.5 Mbit/s）等速度接收和發送USB數據，並保證極低的功耗。

　　恩智浦的ISP1601是全球首款專用的USB電池充電器檢測IC，CSP佔位面積極小，不足2mm²。ISP1601的電池充電器檢測功能無需改變整體系統設計即可融入現有平臺或產品。這已經成為業界的標準。

　　“在USB OTG ULPI收發器中集成USB電池充電檢測功能，這是前所未有的。它將為所有手機設定一個將USB功能與USB電池充電器檢測相整合的標準，從而節省總體系統成本，縮短產品上市時間”。恩智浦USB/UWB高級總監兼產品線經理Antonio Alvarez-Tinoco博士表示說。（特約記者：賈子昂）

【日經BP社報導】 IEEE1394的普及推進團體The 1394 Trade Association（1394TA）公開了將IEEE1394的速度提高至目前的4倍以上的計劃（英文發佈資料）。

　　該團體將擴張“IEEE1394b”高速版規範，並將最大數據傳輸速度提高至3.2Gbit/秒。新規範名為“S3200”，將繼續採用目前的線纜和介面，可將傳輸速度提高至3.2Gbit/秒。S3200規範預計將於08年2月在1394TA內部獲得批准。

　　IEEE1394b實現標準化時，S3200已經與“S800”和“S1600”一起被定位為高端規範。此次重新發佈“S3200”規範，旨在對抗已開始制定高速版規範的“USB 3.0”（最大5Gbit/秒左右）。1394TA執行理事詹姆士·施耐德(James Snider)表示，“通過S3200的標準化，將進一步鞏固IEEE1394作為消費類電子產品的多用途I/O介面的領先位置”。（記者：蓬田 宏樹）

【日經BP社報導】

圖1：車門內部構造

　　大發工業2007年12月17日發表的“TANTO”的左側車門採用了無中柱滑動門，為了應對側面衝撞，在車門中內置了1500MPa級高張力鋼管。

　　“TANTO”與“Mira”、“Move”共用底盤，懸吊也沿襲了兩車的基本構造，只對彈簧和避震器進行了調整。車身尺寸為長3395×寬1475×高1750mm，軸距為2490mm。與現有車型相比，車高增加25mm、軸距加大50mm。

　　“TANTO”的下部車身採用新開發產品，為了提高上下車的方便性，在輕型車中首次採用了無中柱構造。由於省去了車柱，因此在前門內部（上下方向）配備了超高張力鋼管，確保了強度。

　　“TANTO”在前門後側及滑動門前側配備了鋼管。該車本來就在中柱部分的車身側欄及車頂增加了加強材料，而且還強化了連接車頂左右的構件。由於沒有中柱，因此在車頂和側欄兩處設置了前門鎖止機構。

　　新車型與原車型相比，車重增加了約30kg，這是由車高增加、採用滑動門以及提高內置安全帶的左前座席的強度造成的，分別增加了10kg。

　　“TANTO”的油耗方面，以二驅車採用自然進氣引擎及4AT（自動變速箱）的款式比較，從原來的18.0km/L提高到了18.8km/L，儘管車輛重量有所增加，但仍然改善了4.4％。這主要得益於採用了新型引擎“KF-VE型”。另外，CVT（無段變速箱）款的油耗也提高了約13.9％，達到20.5km/L。（記者：林 達彥）

圖2：下部鎖止機構的放大圖

圖3：前門車頂的鎖止機構

圖4：前門側欄的鎖止機構

【日經BP社報導】 在歐洲, 此前一直僅以提供固定WiMAX（IEEE802.16d）服務為目標，但目前採用能夠實現汽車行動通訊服務的移動WiMAX（IEEE802.16e）的機會與可能性得到了迅速提高。尤其是德國部分地區，移動WiMAX商用服務的基礎設施建設已基本完成，將從2008年1月18日開始受理普通個人用戶的加入申請。

　　德國東南部薩爾州（Saarland）的地區通信系統業者VSE NET GmbH將從2008年1月18日開始提供歐洲首例移動WiMAX通信服務。該公司從2007年8月起與著名通信設備廠商法國阿爾卡特朗訊（Alcatel-Lucent）等合作，開始建設移動WiMAX的基地台等基礎設施。基礎設施建設于2007年11月30日基本完成，將從2008年1月18日以後開始提供基於移動WiMAX的高速網際網路服務、IP（網際網路協議）電話及各種數據通信服務。

　　不過，該公司利用的頻帶是原來Inquam Broadband GmbH以提供固定WiMAX為目的而獲得的3.5GHz頻帶。該頻帶與南韓、美國及日本等正在利用或預計利用的2.3G～2.6GHz頻帶不同，電波的直線傳播性較高，不太適於行動通訊服務。儘管如此，VSE NET仍然認為該頻帶應用於行動通訊服務的可行性要高於固定通信服務。

英國也將為行動通訊提高電波功率

　　在英國及法國也出現了同樣的動向。相當於日本總務省的英國Office of Communications（Ofcom）2007年11月22日宣佈，將批准在英國擁有幾乎整個3.5GHz頻帶（3.48G～3.50GHz，3.58G～3.60GHz）的英國UK Broadband把原來只允許用於固定通信的執照移轉至行動通訊服務（英文發佈資料）。這樣一來，今後不僅允許使用依據IEEE802.16e的通信設備，而且還可將基地台的最大輸出功率從原來的21dBW/MHz提高到29dBW/MHz、提供使用更方便的通信服務。順便提一句，UK Broadband是香港著名通信系統業者電訊盈科（PCCW）的子公司。

　　另外，法國通信系統業者Altitude Telecom于2007年12月11日與以色列無線通信設備廠商奧維通（Alvarion）達成協定，將在利用法國3.5GHz頻帶的移動體通信服務中使用奧維通生產的移動WiMAX產品群“4Motion”。Altitude Telecom最近相繼收購了法國各地的3.5GHz頻帶無線執照。

悲觀論蔓延的美國

　　與採用移動WiMAX的可能性提高的歐洲相反，美國開始出現對移動WiMAX的悲觀論，甚至還有“移動WiMAX不可能生存”的觀點。起因源於Sprint Nextel和摩托羅拉兩大美國通信企業的首席執行官Gary Forsee和Ed Zander于2007年11月相繼宣佈辭職（參閱本站報導）。

　　日本某著名通信設備廠商的高層表示，“目前尚未聽說Sprint要終止移動WiMAX計劃”，不過，與移動WiMAX相比，美國有很多分析師更支援新一代手機技術LTE（long term evolution）。另外，2007年11月29日，Sprint的競爭對手美國Verizon Wirelss宣佈將採用LTE作為“4G技術”，也對悲觀論的形成起到了助推作用（英文發佈資料）。（記者：野澤 哲生）

【日經BP社報導】 小松在2007年12月11日召開的董事會上宣佈，將在俄羅斯的亞羅斯拉夫爾州成立建築機械及堆高機等小型機械的生產公司。過去，小松在俄羅斯市場銷售的產品主要從日本進口。考慮到俄羅斯市場今後將繼續擴大，為了滿足需求，小松決定在當地建立生產基地。

　　這是小松的第47個建築·礦山機械相關的生產基地（日本國內12個，海外35個）。這是繼該公司1998年設立“KRANEKS International”之後，在俄羅斯設立的第二個生產基地，是首家機體組裝工廠。亞羅斯拉夫爾州是位於莫斯科東北280km的俄羅斯著名的工業城市。該市人口60萬人，是伏爾加河畔的歷史文化名城。

　　新工廠將配置從焊接到組裝一體化的建築機械生產線及小型機械生產線。目標是在2010年6月開工。建築機械方面，計劃先生產“PC200”挖掘機，之後將擴大到“PC300”和“PC400”機型。小型機方面，首先生產1～2t級內燃機堆高機和電動堆高機。隨後，還將開始滑移裝載機的生產，並通過混合生產小型建築機械及堆高機來提高生產效率。

　　俄羅斯對外出口豐富的自然資源，經濟勢頭良好，而且今後還將持續發展。受基礎設施建設和資源開發的推動，建築、礦山機械的需求也不斷擴大。該公司表示，主要的7種建築機械（履帶式挖掘機、輪式挖掘機、推土機、 輪式裝載機、自卸卡車、鉸接式自卸卡車、平地機）在俄羅斯的需求量（包括其他國家的進口車、二手車及國產車）在2006年約為1萬8000台，預計2009年將超過3萬2000台。預計堆高機的需求量在2009年將超過3萬3000台，為2006年的約2倍。（記者：富岡 恒憲）

【日經BP社報導】

能夠以相同的緊固扭矩，同時用於金屬和樹脂的自攻螺栓“Multi Tight”

　　日東精工通過改進螺栓形狀，開發出了無論是對金屬材料還是對樹脂材料，均可按照相同扭矩緊固的自攻螺栓“Multi Tight”，將從08年1月開始正式銷售（圖）。原來，金屬和樹脂材料一直使用不同的螺栓，因此無論是產品組裝還是管理都比較複雜。此前沒有Multi Tight這樣的能夠以相同扭矩用於金屬和樹脂的螺栓。新產品有利於降低緊固成本和管理成本，提高生產效率。

　　在汽車和家電等製造業的組裝現場，一般根據材料的不同使用不同的螺栓，因此需要備有多種螺栓。這樣一來，採購和庫存確認等管理業務就變得比較麻煩，而且在組裝方面，還需要根據螺栓種類替換緊固工具等，不利於降低成本和提高生產率。

　　自攻螺栓Multi Tight解決了上述問題。在某種條件下，可對金屬和樹脂的緊固材料設定相同的緊固扭矩，因此可實現緊固工具和緊固作業條件的統一化。另外，與原來的金屬用螺栓相比較，還具有（1）自攻時產生的切屑量減至同等以下（2）鎖緊速度提高至原來的約3倍等特點。

　　Multi Tight的對象尺寸為公稱直徑（Nominal Diameter）3mm和4mm。用於金屬材料時，若採用冷軋鋼板衝孔，則板厚在1.0mm以上；若採用翻孔（Burring），則板厚在0.8mm以上。于作樹脂材料時，採用熱可塑性樹脂，拉伸應力為50M～100MPa。（記者：荻原 博之）

【日經BP社報導】

控制寫入脈衝的波動（軌跡）形狀

驗證面向10×10陣列的4bit/單元（16值）寫入

　　德國英飛淩科技、德國奇夢達、美國IBM以及台灣旺宏電子的研究小組，聯合開發出了旨在實現相變記憶體2bit/單元（4值）以及4bit/單元（16值）多層化的新型寫入技術（演講序號17.5）。並利用基於180nm CMOS製程的試製陣列，對2bit/單元類型的16kbit頁寫入以及4bit/單元類型的10×10陣列寫入進行了驗證。

　　英飛淩等開發的技術將寫入用電流脈衝的上升與下降（tail）形狀控制為階梯狀等，以形成不同阻值的多層相變膜的結晶化狀態。已證實數據讀取時間為600ns，可以寫入10⁹次。相變膜使用的是添加有氮的GeSbTe（GST）膜。（記者：大下 淳一）

【日經BP社報導】

英特爾開發的In0.7Ga0.3As溝道HEMT的積層構造

美國麻省理工學院開發的InAs溝道HEMT的構造

　　在“2007 IEDM”上發佈的提高CMOS性能的技術中，亮點之一當屬面向邏輯CMOS的III-V族半導體通道FET（III-V FET）。

Si-CMOS相關人員也熱切關注III-V族

　　在12月9日的短期會議“Emerging Nanotechnology and Nanoelectronics”上，美國麻省理工學院（Massachusetts Institute of Technology,簡稱MIT）的J. A. del Alamo教授發表了題為“CMOS Extension via III-V Compound Semiconductors”的演講，並詳細點評綜述了邏輯應用III-V FET的現狀和可行性。J. A. del Alamo教授認為，將III-V族半導體的高電子遷移率應用到邏輯nMOS場效應管中，這一點十分具有吸引力。另外，還提到了以下課題：（1）在矽底板上形成高品質III-V層，（2）與高介電率（high-k）膜形成良好的MIS界面，（3）實現三維構造，（4）實現高性能pMOS場效應管，（5）實現可微細化的自動調整增強（Self Align Enhancement）型FET構造。

　　與這個演講相呼應，在第一天（12月11日）的“Quantum, Power, and Compound Semiconductor Devices - III-V FETs for Microwave, Millimiter Wave and Digital Applications”分會（會議23）上，八場演講中有五場（包括特邀演講在內）涉及邏輯III-V FET技術。這場分會還聚集了許多Si-CMOS的相關人員，會場出現爆滿盛況。上述五場演講中，從元件構造來看，有兩場涉及MIS FET，三場涉及HEMT；從通道材料來看，有四場涉及InGaAs，一場涉及InAs。上述五場演講的發表者均來自美國，其中來自企業（美國飛思卡爾半導體和美國英特爾）的演講有兩場，來自大學的演講有三場。

英特爾發佈InGaAs通道HEMT

　　英特爾報告的研究成果是：在矽底板上堆積1.3μm的GaAs/InAlAs緩衝層後，形成In_0.7Ga_0.3As通道HEMT，與利用磷化銦(InP)底板的方式相比，可獲得毫不遜色的結晶性和元件特性（“Heterogeneous Integration of Enhancement Mode In_0.7Ga_0.3As Quantum Well Transistor on Silicon Substrate using Thin (<2μm) Composite Buffer Architecture for High-Speed and Low-voltage (0.5V) Logic Applications”：演講序號23.5）。在柵極長80nm、電源電壓為0.5V的情況下，可獲得0.32mA/μm的ON電流。

　　美國麻省理工學院報告了兩項研究成果：注意到可擴展性（Scalability），因此即使是極薄的通道，也可獲得高遷移率的InAs通道HEMT（“Logic Performance of 40nm InAs HEMTs”：演講序號23.6）；採用了可減小源電阻和元件尺寸的自動調整構造的InGaAs通道HEMT（“90nm Self-Aligned InGaAs HEMT for Logic Applications”：演講序號23.7）。InAs HEMT通過採用5nm的極薄通道，在柵極長40nm的情況下，仍可獲得較高的短通道效應，與矽相比較，可獲得1.6倍的電子注入速度。

通過MIS FET實現1.05mA/μm的ON電流

　　飛思卡爾的Passlack發表了有關MIS FET的特邀演講，他表示有望在In_0.75Ga_0.25As通道中獲得相當於Si MOS場效應管的3倍以上的性能（“High Mobility III-V MOSFETs for RF and Digital Applications”：演講序號23.4）。不過，實際試製的元件，尚未獲得充分的截止（Cutoff）特性，MOS界面的優化是問題所在。

　　另外，美國普渡大學（Purdue University）報告的研究成果是：將基於ALD的Al₂O₃和HfO₂作為柵極絕緣膜的倒置型（Inversion）InGaAs MIS FET的電氣特性（“High Performance Submicron Inversion-Type Enhancement-Mode InGaAs MOSFETs with ALD Al₂O₃, HfO₂ and HfAlO as Gate Dielectrics”：演講序號23.8）。在擁有0.4μm長柵極和10nm厚Al₂O₃柵極絕緣膜的In_0.65Ga_0.35As MIS FET中，可獲得1.05mA/μm（漏極電壓為2V，柵極電壓為4V）的ON電流，作為VIII-V MIS FET來講，這是迄今為止獲得的最大電流。

要想達到實用化水準，尚需進一步突破

　　正如前面所提到的，關注邏輯應用的III-V FET的開發，正在以美國為中心呈現活躍態勢，多個機構開始報告具有高驅動力的元件特性。另一方面，元件構造和尺寸等尚未達到可與微細Si CMOS相媲美的水準，在矽平臺上實現微細III-V FET的路途將會崎嶇不平。正如第二天（12月10日）的“Performance Analysis and Transport Modeling”分會（會議5）上的演講所陳述的，如果採用接近極限的終極構造和尺寸，對於矽來講，III-V通道將不會起到太大作用。

　　旨在替代矽的III-V通道FET，剛剛有了研究頭緒。要想達到實用化水準，尚需制定可帶來更大突破的科學性研發框架、累積充分的實驗數據、選擇合適的應用工藝、探索應用範圍。（特約撰稿人：東京大學 研究所工程學研究係 電子工程學專業　高木 信一）

【日經BP社報導】

三星發表的矽奈米線電晶體

MIRAI-ASET、Covalent Materials、MIRAI-AIST及東京大學開發出了奈米線側面平坦化工藝

北京大學發表的矽奈米線電晶體

　　在以終極FET結構而備受矚目的奈米線電晶體領域，IEDM上發表的相關論文逐年增加。在大會最後一天舉行的“Advanced Device Structures”會議（Session 34）上，有4篇論文發表了有關奈米線電晶體的實測數據。就該領域而言，亞洲在歷屆IEDM上都佔據絕對優勢，本屆會議也一樣，所有發表都是來自包括日本在內的亞洲與會者所做的。另外，在奈米管、奈米線及奈米帶的建模模擬方面，與會者于當天另外舉行的會議“Nanotubes, Nanowires and Nanoribbons”（Session 29）上進行了討論。

分析奈米線的線寬依存性

　　南韓三星電子系統詳細地分析了矽奈米線電晶體的線寬依存性，實驗數據證明當直徑為4nm時洩漏電流和載流子移動率最大（演講編號34.2）。並首次介紹了直徑在4nm以下時發生的DIBL（drain-induced barrier lowering）及亞閾值斜率下降的獨特現象。

　　另外，三星還通過實驗證明，具有矽鍺源極與漏極的奈米線電晶體可憑藉應變效果將pMOS驅動力提高85％（演講編號34.4）。該公司在歷屆IEDM上都進行矽奈米線電晶體的發表，產品的特性及試製工藝超群出色。

　　MIRAI-ASET、Covalent Materials、MIRAI-AIST及東京大學的研究小組共同製造了基於應變矽及矽鍺的奈米線電晶體（演進編號34.1）。實驗證明，通過利用氫退火工藝使奈米線側面實現平坦化，與沒有應變效果的矽奈米線相比，可獲得更高的載流子遷移率。

已往少有論文的中國也發表演講

　　北京大學發表了直徑10nm、柵長130nm的矽奈米線電晶體，也引起了很大關注（演講編號34.3）。在歷屆IEDM上中國幾乎沒有發表過論文。北大發表的電晶體不使用SOI（絕緣體矽）底板，而是通過採用Bulk底板的新工藝，製造出了漏極電流超過1mA/μm的高性能奈米線電晶體。該矽奈米線電晶體估計是利用北京大學自己的設施製造的。（特約撰稿人：東京大學 生產技術研究所 平本 俊郎）

【日經BP社報導】 富士CHIMERA總研公佈了全球LED市場的調查結果。調查顯示，白色LED的供貨量大幅增長。2006年的供貨量比上年增長42.8％，達到132億個，供貨金額同比增長5.2％，為1849億日元。價格在一年內下降了20～30％。預計2007年的供貨量為182億個，供貨金額為2002億日元。手機用白色LED起到推動作用。此外，由於發光效率提高和價格下降，筆記本電腦及液晶電視用大中型螢幕的背照燈組件的採用增加。但是，車載及照明用產品的市場仍然很小，LED市場的真正崛起將在2015年以後。

全球白色LED市場的預測（點擊放大）

　　富士CHIMERA總研分析了當前白色LED課題的成本和壽命。現有白色LED的壽命可達4萬小時，但需求的大幅增加預計需要10萬小時的壽命。由於LED封裝內殘存的熱量會使LED的功能下降，因此現在的底板採用鋁等散熱性高的材料，為了進一步提高散熱性，正在推進替代作為絕緣材料使用的環氧樹脂及矽樹脂的新型材料的開發。該公司預測，2011年白色LED市場的供貨量將比2006年增長115.9％，達到285億個，供貨金額同比減少15.2％，為1568億日元。

　　2006年發光元件的總體供貨金額比上年增長2.0％，達到5655億日元。發光元件包括：包含白色LED在內的可視光LED、紅外光LED、紫外光LED、照明用有機EL、非通信用VCSEL（面發光型半導體鐳射器）。可視光LED方面，白色LED以外產品的供貨量也大幅增長，比上年增長27.4％。四元系高亮度LED也取得增長。不過，受單價下降的影響，供貨金額僅有微小增加。紅外光LED的供貨方面，長波長產品趨於平穩，短波長產品供貨量增加，總體實現微增。紫外光LED方面，市場從2006年開始真正興起，主要面向紙幣識別設備供貨。富士CHIMERA總研預測，2007年發光元件總體供貨金額為5955億日元，2011年供貨金額將比2006年增長14.0％，達到6444億日元。（記者：迦納 徵子）

不同產品的全球LED市場的預測

【日經BP社報導】

圖1：SP的觀測原理

圖2：利用SP進行觀測的位置

圖3：該圖簡單調整了地形、整體反射率的不同以及檢測器特性的影響等，可清楚明瞭地看到以600nm為標準的規則化的SP數據。右圖的橫向表示波長，縱向表示南北方向。顏色越紅，波長的反射光相對就越強。在950nm附近看到的微妙的顏色變化（綠色～黃色），估計是因為含鐵的礦物數量的不同

圖4：與隕石坑（Crater）周圍的SP數據同時獲得的多波段成像儀的圖像。位於多波段成像儀圖像中央的粉紅色線，表示SP的觀測區域。JAXA分析認為，在包括較大的隕石坑斜面和較小的隕石坑在內的觀測點中，波長越長反射光越弱（圖中的顏色從黃綠色變為淡藍色、藍色和黑色），因此估計月球上分佈有新鮮的岩石和土壤。而在波長越長反射光越強（從黃綠色變為黃色和紅色）的區域，估計分佈有經過太空風化的土壤和岩石

　　作為確認繞月衛星“月亮女神（SELENE）”初期功能的一環，日本宇宙航空研究開發機構（JAXA）實施了基於光譜廓線儀（Spectral Profiler，以下簡稱SP）的月球表面觀測。該機構完成數據處理後確認，SP處於正常工作狀態。利用SP對月球背面的可視近紅外區連續反射光譜的觀測在世界尚為首次。

　　SP是觀測來自衛星正下方月面的可視近紅外區連續反射光譜的分光計。在500～2600nm的波長範圍內，以6～8nm的解析度（空間解析度為500m）進行分光觀測（圖1）。JAXA于2007年11月3日確認了SP的初期功能，成功地在月球背面觀測到了範圍高達1000km以上的連續反射光譜（圖2～4）。

　　JAXA將利用通過SP觀測到的可視近紅外區連續反射光譜，推斷分佈在月球表面的礦物種類和數量。類似的分光觀測，在地球的天文臺上也實施過，不過無法觀測到月球背面等部分，而且由於受到地球大氣的影響，難以通過大波長實現高解析度。另外，以前的月球探測器也進行過類似觀測，不過只能在有限的波長範圍內實施連續分光觀測，尚未獲得月球表面礦物分佈的具體資訊。

　　而SP可通過較寬的波長範圍、大波長以及高空間解析度，觀測包括背面在內的整個月球，因此JAXA認為，能夠以高於原來的精度推斷礦物種類和數量。另外，通過結合分析多波段成像儀（觀測礦物的空間分佈）、螢光X光分光計（研究月球表面的元素分佈）和γ線（咖瑪線）分光計的數據，有望進一步推動月球起源和進化的相關研究。

【日經BP社報導】 瑞典富豪公開了目前正在開發之中的新一代汽車安全系統。

　　正在開發的是以下三個系統。（1）基於自動操舵的碰撞避免系統（Collision Avoidance by Auto Steering）。（2）避免與行人發生碰撞的自動制動系統（Collision Warning with Auto Brake for Pedestrian）。（3）生產線通信系統（Vehicle to Vehicle Communication）。

　　基於自動操舵的碰撞避免系統利用攝影頭及雷達檢測車輛周圍的接近車輛。當發生碰撞的危險性較大時，可自動操縱方向盤來避免碰撞。

　　避免與行人發生碰撞的自動制動系統利用廣角雷達識別車輛周圍的行人。當有行人接近時，儀表板上的顯示器就會亮起紅色顯示，併發出警告音提醒注意。

　　當發生碰撞的危險性較高時，系統會提高剎車踏板的油壓。在無法避免碰撞時，可自動實施制動操作，以減輕傷害。另外，還可根據行駛狀態及車速進行控制，憑藉自動制動操作將車速減慢15mph（24km/h）左右。但是，當車速較快時，則無法避免碰撞，只能減輕碰撞造成的傷害。

　　生產線通信系統可將前方行駛車輛的感測器檢測到的障礙物資訊等發送給後續車輛。在不易看到前方道路情況的彎道，如果前方有行駛車輛，後續車輛能夠有充足的時間實施制動操作。該公司表示，“要想實現生產線通信及路生產線通信，需要使汽車的配置與性能標準化”。（記者：小川 計介）

圖1：基於自動操舵的碰撞避免系統。定位於比採用攝影頭的車線維持輔助系統更重要的功能

圖2：利用雷達識別行人（左側的模擬人體）、通過自動制動來避免碰撞的系統

圖3：利用生產線通信系統向後續車輛發送預見性差的彎道的前方情況

【日經BP社報導】 12月15日，記者從長虹公司獲悉，長虹計劃投資3.6億元成立“四川虹視顯示技術有限公司”（下稱“虹視公司”），並控股虹視公司60％股權，以此正式進軍有機EL產業。

　　有機EL，即有機電致發光顯示器，　又稱“有機發光二極體”或“有機電激發光顯示器”。有機EL是繼CRT（顯像管電視，第一代），LCD（液晶電視）、PDP（第二代）之後的第三代顯示技術，代表目前顯示技術的發展方向。隨著新力有機EL電視的上市，有機EL技術再次被炒熱。

　　據了解，這是長虹繼鉅額投資PDP（電漿）屏之後，在平板電視領域的又一重大投資。長虹發佈的公告顯示，此次與成都高新投資集團有限公司共同出資6億元，組建虹視公司，發展有機EL產業，成都高新投資集團佔合資公司40％的股權。新公司的主業為有機EL及其模組、頭戴式顯示器及移動式顯示器、電子產品的研發、製造、銷售及服務。（特約記者 鄭月生）

2002年4月進入數位相機市場，到今年已經走過了五個年頭。但從2004年開始，中國國產數位相機品牌便開始全面收縮。國產品牌集中于中低端市場的產品結構，直接影響了國內企業的利潤。而且隨著新力、奧林巴斯等洋品牌開始由原本的高端市場向中低端市場延伸，國產品牌的“江山”進一步縮小。除了聯想之外，其他一些國產品牌都已經退出了數位相機產品的生產。目前國產數位相機品牌只剩下愛國者和明基。

　　一位業內人士指出，其實價格因素只是表面現象，沒有自己的技術，直接導致了中國國產相機一定不會有較高的佔有率。在國產相機的市場佔有率10%時的最為輝煌的時候，日本企業就有了對中國DC生產廠商收取專利費的打算。後來，中國國產DC的萎靡不振讓這打算無果而終。沒有自己的技術，其實是對中國數位相機行業最大的威脅，這比價格競爭更可怕！（特約記者：賈子昂）

【日經BP社報導】

圖1：與原來的試製品相比，LED元件減小到了20μm見方，而且配置間距由原來的600μm縮短到了42.3μm

圖2：LED元件的配置數量由原來的24×24個增至24×96個、尺寸加大的LED顯示器。為使文字滾動顯示，採用24個為一排、依次驅動LED的方式

圖3：“EBF”使用的晶圓種類。左側為在矽底板上呈陣列狀形成多個驅動IC的晶圓。中央為將從底板上剝下的LED結構的外延層，以及由剝離外延層所需要的支撐體接合的晶圓。支撐體為玻璃。右側為在形成有驅動IC的矽底板上通過分子間作用力接合外延層的晶圓。3種晶圓的直徑均為6吋

圖4：採用“EBF”製造的LED列印頭。上方為A3產品，下方為A4產品

圖5：採用“EBF”製造的A4 LED列印頭配備在彩色LED印表機“C3400n”上時

圖6：在樹脂（PET）底板上呈二維陣列狀排列紅色LED元件的顯示器

　　衝電氣數位影像（OKI Digital Imaging，簡稱 ODI）公佈了採用將半導體材料製成薄膜，利用非同類材料間的分子作用力牢固接合的技術“EFB（Epi Film Bonding）”，開發出的影像顯示裝置。此次公開了2種新型LED顯示器。一種將LED元件的尺寸減小到了比原試製品更小的水準，進行了高密度配置。另一種則增加了LED元件配備數量，加大了顯示器尺寸（圖1，2），均在玻璃底板上配置了呈二維陣列狀的、發光波長為650nm的紅色LED元件。前者為高密度產品，設想應用於前投式投影機。今後還計劃增加藍色及綠色LED元件，“希望能夠製造出指尖大小的投影機”（該公司）。

　　EFB的優點是：非同類材料間可通過分子作用力接合，無需粘合劑或焊接等，有助於減小元件尺寸、降低成本。分子作用力接合的具體應用方式是將化合物半導體等的外延生長層從底板剝離後粘貼到矽底板上，與IC形成一體（圖3）。衝數據已開始使用該技術量產將LED陣列和驅動IC集于一體的LED列印頭，並配備在了該公司的A4彩色LED印表機“C3400n”上（圖4，5）。

　　為了將EFB技術應用於LED列印頭以外的影像顯示裝置，衝電氣數位影像正在開發LED顯示器（參閱本站報導）。目前已經試製了尺寸為300μm見方、以600μm間距在玻璃底板上排列紅色LED（發光波長為765nm）元件的顯示器。為實現可彎曲的顯示器，還在試製在樹脂（PET）底板上呈二維陣列狀排列的紅色LED元件（圖6）。

指尖大小的投影機納入視野

　　此次新試製的高密度型LED顯示器將LED元件減小到了僅20μm見方，而且配置間距由原來的600μm縮短到了42.3μm。目前只使用了紅色LED元件，如果把在此基礎上增加藍色及綠色LED元件、並呈二維陣列狀配置的產品用作光源的話，“還能製作出指尖大小的投影機”。理想的情況是：在該光源上“只需追加成像光學系統即可顯示影像”（該公司）。如果開發出超小型投影機，還有望配備在手機和筆記本電腦上。

　　要想實現這一目標，就需要開發從底板上安全可靠地剝離綠色LED及藍色LED的技術。EBF技術通過在底板和外延層之間設計“犧牲層”，實現了底板和外延層的輕鬆剝離。該犧牲層會影響剝離效果。剝離時，在對犧牲層進行濕蝕刻的同時，將外延層附到支撐體上從底板剝離。用蝕刻液蝕刻後，犧牲層會輕鬆溶解掉。

　　目前已達到實用水準的是將紅外及紅色LED元件從底板剝離的技術。在紅色LED方面，如果列印頭使用近紅外LED的話，就在GaAs底板上外延生長AlGaAs薄膜，如果是顯示器用紅色LED，則外延生長InGaAlP類薄膜。另一方面，藍色LED及綠色LED則採用與紅色LED不同的材料。藍色及綠色LED元件大多是在藍寶石底板上外延生長GaN係半導體。因此要從底板上安全可靠地剝離具有藍色LED元件及綠色LED元件結構的外延層，就需要改變犧牲層。

　　關於尺寸加大的LED顯示器，元件的配置數量由原來的24×24個增加到了24×96個。LED元件的尺寸為300μm見方，配置間距與原來相同，均為600μm。通過以24個為一排並依次驅動LED，可使文字實現滾動顯示。功耗為0.2W。亮度為300cd/m²以下。此次發佈的兩種顯示器均接合了厚2μm的外延層和厚1mm的玻璃底板。（記者：根津 禎）

Scythians 公元前 7～公元 3世纪占据黑海以北地区、操北伊朗语的居民。又译作塞西安人或西徐亚人。源自希腊语 Skythaio，最早见于希罗多德的《历史》。广义的斯基泰人还应包括滞留在中亚、西西伯利亚和阿尔泰地区的一些部落，其文化、艺术和生活方式与南俄和伊朗的斯基泰人极为相同。斯基泰人身材高大健壮，蓝眼隆鼻多须，在种族上与萨尔马特人、塞种人和马萨格泰人接近，语言、社会生活、文化传统和宗教也大致类似。
　　公元前9世纪以前,斯基泰人主要分布于阿尔泰山以东。公元前 8世纪中叶，周宣王征伐猃狁、西戎，后者压迫斯基泰人西走南俄。自然灾害（如干旱）也可能是其西迁的一个原因。斯基泰人到达高加索和黑海北岸后，驱赶那里的西米里安人西逃，大部分定居下来。另一部分继续西迁至多瑙河流域定居。还有一部分跟踪西米里安人南下，到达小亚细亚和伊朗高原西北部。另外有些学者认为，斯基泰人系公元前14世纪开始从伏尔加向西迁的斯鲁伯文化居民的后裔。　　斯基泰人称霸南俄后氏族社会开始解体，出现军事民主制。公元前 7世纪中叶已形成贵族首领阶层，核心是在库班的世袭王族。王族的创始者可追溯到传说中的塔尔吉陶斯王位传至格奴鲁思时（约公元前630）,斯基泰人的版图从波斯边境经库班一直伸延到整个南俄草原。斯基泰王帕尔塔图亚和马底耶斯父子还统治过乌拉尔图。公元前 625年，斯基泰人侵入叙利亚和位于今巴勒斯坦南部的朱迪亚，后来兵锋达埃及边境。法老萨姆提克一世(公元前664～前610在位)被迫与之签约以阻其继续南侵。这部分斯基泰人后来受米底帝国打击退回南俄。公元前 513年，斯基泰王伊当提尔苏斯举兵反对波斯王大流士一世，在政治上统一整个斯基泰人。希腊边境城邦被迫每年纳贡以免遭掠劫。斯基泰王国在公元前5～前4 世纪(一说在公元前2世纪)形成。公元前4世纪中叶，斯基泰人开始衰落。公元前 339年，斯基泰王阿提亚斯在对马其顿王腓力二世的战争中战死。公元前2 世纪，斯基泰人被萨尔马特人排挤到克里木，建都城于涅亚波里。从公元前4世纪开始,贫富分化明显。公元3世纪左右,为哥特人所灭。斯基泰人遂与民族大迁徙中的各民族相融合，此后的“斯基泰”一词用以指居住在黑海以北地区的各族居民。
　　社会经济　斯基泰人的国家由四大部族组成、每部族又分为若干区，各区的首领负责断案、征税、向异族属国索贡等。国王和各级首领的继承都是世袭制。氏族部落是斯基泰人的社会基础,战时则是作战单位,各部族每年春天大会于王廷。战时全民皆兵，分成三部分：主力由贵族首领的卫队组成，其次是参过战的部落民组成的部队，其他老弱者组成辅助部队。斯基泰人以多杀敌为荣,有以敌人头骨为饮器的习惯。武器装备有战斧、矛、弓箭等。骑马射箭是他们的特长，故有“马上弓手”之称。
　　斯基泰人多以游牧为主，饲养马、牛、羊、狗。少部分从事渔猎。进入南俄后，还有一部分定居民。斯基泰人精于制造手工艺术品。整个欧亚草原的斯基泰艺术风格较为一致,即通过锻、铸、镶压、刻等多种手法,用金、银、铜等材料创造出生动的浅浮雕动物造型，其中最常见的有狮、虎、驯鹿、马、麋、食肉鸟以及其他想象的动物，统称为“动物纹”或“野兽纹”。斯基泰艺术的另一特点是往往以带钩、柄、饰牌等装饰在马具、武器、衣着和器皿上，成为财富的标志。同黑海沿岸的希腊城邦、波斯以及中亚各族有贸易往来。公元前 2世纪，克里米亚出现斯基泰最初的铸币。斯基泰人的墓葬遍及阿尔泰至南俄草原的广大地区。墓中陪葬物显示当时社会贫富悬殊的现象。国王死后，要杀死50名卫士连同马匹殉葬。贵族的墓制也极宏伟，除要求殉葬外，还埋入金、银、铜器、陶器，一般成员的墓穴则简陋不堪。　　宗教信仰　斯基泰人初信自然神，但无庙宇之类建筑。迁入南俄后，明显受希腊影响，信仰天神宙斯、土地女神吉尔、日神阿波罗、海神波塞冬。斯基泰人保有明显母权社会痕迹，信奉的神灵中，最高贵的是母神塔别梯－赫斯提亚，主保护火种和牲畜。
　　斯基泰人始终没有文字,但有大量的斯基泰人名、地名、族名保留在碑铭和古典作家的著作中。